应用领域

电子
半导体

CMP 抛光、蓝宝石、硅

50至300纳米超细粒度金刚石微粉,用于半导体基板、蓝宝石、SiC碳化硅的CMP化学机械抛光。超高洁净度,严格控制团聚,低缺陷率。

问题与解决方案

典型问题

  • 基板表面缺陷
  • 纳米颗粒团聚
  • 高洁净度要求

如何解决

  • 成熟分散体系
  • CMP 级洁净度
  • 严格 D50/D90 控制

技术细节:电子加工

电子工业材料加工(LED蓝宝石衬底、SiC晶圆、Al₂O₃和AlN陶瓷、显示玻璃)需要精密金刚石工具和纳米级精度的微粉。加工表面粗糙度直接影响半导体器件的电性能,因此微粉的纯度和稳定性至关重要。

推荐粒度

  • W40–W28 — 蓝宝石和SiC衬底切割与平面磨削、倒角
  • W20–W10 — 晶圆精磨(lapping),抛光前降低粗糙度
  • W7–W3.5 — 化学机械抛光(CMP),镜面Ra<0.5nm
  • W2.5–W0.5 — 光电子和功率半导体用最终超精抛

电子级纯度

对于电子工业,金属杂质含量至关重要:Fe、Ni、Co可能迁移到半导体结构中引起电流泄漏。我们的PCD微粉Fe+Ni+Co总含量<65ppm,满足半导体材料加工要求。每批都经过磁性物(<0.1%)和粒度检测。对于高要求生产,可按需提供额外纯化和认证。

了解Fe、Ni、Co杂质对微粉质量的影响,请阅读专题文章。

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